EEPROM 和 Flash 的区别


闪存和 EEPROM 都是非易失性存储器,这意味着即使在断电后,它们也能保存数据。但是,这两种存储器在几个重要方面存在差异。

  • 在闪存的内容被擦除后,可以立即写入新数据。另一方面,为了将新数据写入 EEPROM,必须先将其擦除。

  • 闪存通常可以覆盖大约 100,000 次,然后才会开始降级。EEPROM 通常只能写入几千次,然后就需要更换。

  • 闪存的成本高于 EEPROM。这是因为闪存芯片通常需要更多的硅和其他材料来制造,因为它们比 EEPROM 芯片更大。

阅读本文以了解更多关于 EEPROM 和 Flash 的信息以及它们之间是如何不同的。

什么是 EEPROM?

EEPROM 指的是电可擦可编程只读存储器。EEPROM 是一种非易失性存储器,用于计算机和其他电子设备中存储必须在断电后保存的小量数据。EEPROM 有各种尺寸,但目前最常见的是 32K 和 64K。尺寸由设备可访问的字节数决定。每个字节可以根据需要独立编程和删除。

与其他形式的非易失性存储器相比,EEPROM 的优势在于它能够在无需使用特殊工具或擦除周期的情况下被擦除和重新编程。这使得 EEPROM 能够应用于需要定期更新数据的应用,例如升级固件时。

EEPROM 的一个缺点是它只有有限次数的擦除/写入循环——通常约为 100,000 次。超过此次数后,单元将无法可靠地保持电荷,数据将开始降级。因此,EEPROM 不适用于日志文件等需要持续写入和更新数据的应用。

什么是闪存?

能够以块而不是一次一个字节的方式擦除和重新编程的存储器称为电可擦可编程只读存储器 (EEPROM)。闪存被广泛用作许多设备中的主要存储形式,包括固态硬盘、USB 闪存盘和数码相机。

闪存,也称为闪存存储器,是一种利用闪存芯片来记录和存储数据的方式。闪存技术具有广泛的应用,从简单的存储(如闪存盘)到低技术市场系统。由于闪存具有极低的延迟并且在计算机关闭时不会丢失数据,因此它优于任何其他具有移动走廊的硬盘类型。

闪存是一种特殊的 EEPROM,只能以大块的方式进行编程和擦除。然而,似乎 AND 闪存正被用于仅支持大块擦除的硬件。闪存非常通用。闪存有几个特点。它比 EEPROM 便宜得多,并且不需要像静态 RAM 这样的固态存储的电池。闪存通常用于速度至关重要的场合,因为它比 EEPROM 快(例如在数码相机中)。

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EEPROM 和 Flash 的区别

下表重点介绍了 EEPROM 和 Flash 之间的主要区别:

EEPROM

闪存

EEPROM 是一种可以通过电气方式擦除和编程的 ROM 类型。

EEPROM 一次擦除一个字节。

Flash 是一种可以写入和以块为单位擦除的 ROM 类型。Flash 以块为单位擦除。Flash 可以比 EEPROM 更快地擦除和编程。

写入时间较慢(通常每个字节约 10 秒)

写入时间较快(通常每个字节约 1 秒)

擦除/写入循环次数有限(通常约 10,000 次)

无限次的擦除/写入循环

比闪存贵

比 EEPROM 便宜

结论

总之,EEPROM 和 Flash 是两种非易失性存储器,每种都有其特定的特性和用途。在计算机系统以及存储少量数据的微控制器中,EEPROM 经常被使用。它也用于代码更新不频繁的场合,而闪存则擅长于代码频繁更改的系统。与 EEPROM 相比,闪存的成本要低得多。

更新于: 2023 年 4 月 13 日

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