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法学8051微处理器RAM寻址
在本节中，我们将了解英特尔8051微控制器如何寻址外部RAM存储器。有多种RAM寻址方法。首先，我们将简要讨论几种不同类型的RAM存储器。
RAM（随机存取存储器）是易失性存储器。因此，当RAM芯片断电时，它会丢失数据。RAM也称为RAWM（读写存储器）。基本上有三种RAM。它们是SRAM（静态RAM）、NV-RAM（非易失性RAM）和DRAM（动态RAM）。
静态RAM
静态RAM中的存储单元由触发器构成。它不需要任何刷新来保持其数据。静态RAM的主要问题是，这种类型的RAM中的每个触发器至少需要六个晶体管来构建。但是一个触发器只能保存1位数据。因此，每位数据需要六个晶体管。即使现在的触发器是由四个晶体管制成的，但这仍然太多了。因此，主要问题是成本。对于大容量SRAM，其开发成本巨大。
NV-RAM
这是一种新型RAM。它被称为非易失性RAM。它支持处理单元进行读写操作，但当电源关闭时，内容不会丢失。
- 它使用极其节能的SRAM单元，这些单元由CMOS构成。
- 它使用内部锂电池作为备用能源。
- 它具有一些高级的智能控制电路。该电路不断检查Vcc引脚是否持续从外部电源获得电源。如果外部电源不足，则它会自动将电源从外部电源切换到内部电源。
所有提到的条件都集成到单个RAM芯片中。因此，NV-RAM价格昂贵。如果不考虑成本，它非常有用。一个NV-RAM在电源关闭时可以存储数据长达十年。
动态RAM
1970年，英特尔推出了第一款动态RAM。第一款DRAM的密度为1024位。它使用电容来存储每一位。通过使用电容，每位的成本降低了。在DRAM中，他们必须加入另一项任务，即刷新。由于泄漏，DRAM需要刷新。动态RAM的主要优点是它可以在单个空间单元中存储更多位，因此密度高，每位成本低。主要缺点是：它需要定期刷新，因为电容单元会失去电荷。
8051微控制器的内部RAM
众所周知，8051具有从00H到7FH位置的128字节内部RAM。这128字节的空间也细分为其他几个部分。如下所示：
- 首先是32字节的工作寄存器。地址范围为00H到1FH。这32字节的空间又细分为四个寄存器组。
- 寄存器组0. 地址范围（00H到07H）
- 寄存器组1. 地址范围（08H到0FH）
- 寄存器组2. 地址范围（10H到17H）
- 寄存器组3. 地址范围（18H到1FH）
- 第二部分是16字节的位寻址寄存器。范围从20H到2FH。
- 最后一部分是80字节的通用区域。此空间也用作堆栈。范围从30H到7FH。
8051微控制器的外部RAM寻址
8051只有128字节的内部RAM。因此，如果我们想扩展RAM内存，我们必须使用具有适当寻址方案的外部RAM。在8051中，引脚P3.7用于读信号（RD），引脚P3.6用于写信号（WR）。这些读写引脚连接到RAM以读取和写入数据。端口P2（8位）用于高8位寻址，端口P0（8位）用于低位寻址。低8位（P0）也可以用作数据总线。为了实现多任务功能，我们需要另一个名为74LS373的芯片来在端口P0充当数据总线时保持低位地址。高位地址引脚可以在多个RAM的情况下用于芯片选择。
在这个图中，我们使用16KB的外部RAM。对于16K，需要14位进行地址选择。另外两个引脚A14和A15连接到RAM芯片的芯片使能（CE）引脚。
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