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法律研究在计算机体系结构中，什么是基于半导体的ROM存储器？
传统的掩膜编程ROM芯片是物理编码要保存的信息的互连电路，因此在制造后无法修改其内容。几种非易失性固态存储器方法允许一定程度的修改 -
可编程只读存储器 (PROM) - 它是一种一次性可编程ROM (OTP)，可以通过一种称为PROM编程器的独特设备写入或编程。该设备使用高电压永久损坏或产生芯片内部的内部连接（熔丝或反熔丝）。
可擦除可编程只读存储器 (EPROM) - 它可以通过暴露于强紫外线（通常为10分钟或更长时间）来擦除，然后通过再次需要应用高于典型电压的过程来重写。反复暴露于紫外线下最终会磨损EPROM，但大多数EPROM芯片的强度超过数千次擦除和重新编程周期。
EPROM芯片封装可以通过突出的石英“窗口”识别，该窗口使紫外线能够进入。编程后，窗口通常会包裹标签以避免意外删除。各种EPROM芯片在封装时被工厂擦除，并且不包含窗口，这些芯片实际上是PROM。
电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) - 它放置在与EPROM相同的半导体结构上，但能够对其整个内容进行电擦除，从而可以电写入，因此不需要将其从计算机（或相机、MP3播放器等）中移除。
电可改写只读存储器 (EAROM) - 是一种EEPROM，可以一次更改一位。写入是一个非常简单的过程，需要比读取方法使用的电压更高的电压（通常约为12V）。
EAROM专为需要偶尔且仅部分重写的应用而设计。EAROM可用作对苛刻系统设置数据进行非易失性存储，在某些应用中，EAROM已被中央电源供电并由锂电池备份的CMOS RAM所取代。
闪存 - 它是1984年设计的一种新型EEPROM。闪存比普通EEPROM擦除和重写速度更快，并且最新设计功能具有非常高的耐久性（超过100,000次循环）。
最新的NAND闪存有效地利用了硅芯片空间，从而产生了单个IC，截至2007年大小高达32GB，此功能以及耐久性和物理持久性，使NAND闪存能够在各种应用中取代磁存储，包括USB闪存驱动器。
闪存用作早期ROM类型的替代时称为闪存ROM或闪存EEPROM，但在利用其快速且重复更改能力的应用中则不使用此名称。
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