FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种用于电子电路的晶体管。FET 和 MOSFET 都是用于信号放大、开关和处理的三端器件。FET 中的栅极与源极和漏极通过称为沟道的区域隔开。MOSFET 具有一个绝缘栅极，该栅极通过一层薄的氧化物层与沟道隔开。阅读本文以了解更多关于 FET 和 MOSFET 的信息以及它们之间有何不同。什么是 FET？最流行的 FET 类型是... 阅读更多

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是两种晶体管，是现代电子电路的基本构建块。IGBT 和 MOSFET 都是电压控制器件。但是，它们在各个方面都不同。通读本文，了解这两种晶体管的基本工作原理以及它们之间有何不同。什么是 IGBT？IGBT 代表绝缘栅双极型晶体管。IGBT 是一种三端半导体器件，用于各种电子电路中进行信号的开关和放大。IGBT 的三个端子是：... 阅读更多

有一类晶体管称为场效应晶体管 (FET)。在这类晶体管中，有很多场效应晶体管，例如结型场效应晶体管 (JFET)、金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)、金属半导体场效应晶体管 (MSFET) 等。在本文中，我们将比较和对比 JFET 和 MOSFET 的各种特性。什么是 JFET？JFET 代表结型场效应晶体管。JFET 是一种三端半导体器件，其端子为：源极 (S)、漏极 (D) 和栅极 (G)。JFET 在源极和漏极之间有一个沟道。沟道是源极和... 阅读更多

BJT 是一种三端半导体器件，用于信号的开关和放大。另一方面，MOSFET 是四端半导体器件，用于开关应用。通读本文以了解更多关于 BJT 和 MOSFET 的信息以及它们之间有何不同。什么是 BJT？BJT 代表双极型结型晶体管。它是一种晶体管，其中电流流动是由于两种类型的载流子，即电子和空穴。BJT 由三层交替的 P 型和 N 型半导体材料和两个 P-N 结组成。BJT 有三个端子，即发射极 (E)、基极... 阅读更多