BJT和MOSFET的区别


双极结型晶体管(BJT)是用于信号开关和放大的一种三端半导体器件。另一方面,MOSFET是一种用于开关应用的四端半导体器件。阅读本文以了解更多关于BJT和MOSFET的信息,以及它们之间是如何不同的。

什么是BJT?

BJT代表双极结型晶体管。它是一种晶体管,其中电流流动是由于两种类型的载流子即电子和空穴造成的。BJT由三层交替的P型和N型半导体材料和两个PN结组成。BJT有三个端子,即发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。

当P型半导体材料夹在两个N型层之间时,双极结型晶体管被称为NPN晶体管。当N型层夹在两个P型层之间时,得到的BJT被称为PNP晶体管

什么是MOSFET?

MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管。它是一种四端半导体器件,其端子为:源极(S)、漏极(D)、栅极(G)和体(或衬底)。MOSFET是一种具有MOS结构的场效应晶体管。MOSFET是高速、低损耗的晶体管

根据工作原理,MOSFET分为两种类型:

  • 增强型MOSFET
  • 耗尽型MOSFET

一个增强型MOSFET在正常情况下处于关闭状态,需要栅极电压才能将其打开。而耗尽型MOSFET在正常情况下处于打开状态,需要栅极电压才能将其关闭。

BJT和MOSFET的区别

下表重点突出了双极结型晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管之间的主要区别。

参数BJTMOSFET
全称BJT代表双极结型晶体管。MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管。
定义BJT是一种三端半导体器件,用于信号的开关和放大。MOSFET是一种四端半导体器件,用于开关应用。
类型根据结构,BJT分为两种类型:NPN和PNP。根据结构和工作原理,MOSFET分为四种类型:P沟道增强型MOSFET、N沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET和N沟道耗尽型MOSFET。
端子BJT有三个端子,即发射极、基极和集电极。MOSFET有四个端子,即源极、漏极、栅极和体(或衬底)。
载流子在BJT中,电子和空穴都充当载流子。在MOSFET中,电子或空穴充当载流子,具体取决于源极和漏极之间通道的类型。
极性BJT是双极器件。MOSFET是单极器件。
控制量BJT是电流控制器件。MOSFET是电压控制器件。
输入阻抗BJT的输入阻抗低。MOSFET的输入阻抗相对较高。
温度系数BJT具有负温度系数。MOSFET具有正温度系数。
开关频率BJT的开关频率低。对于MOSFET,开关频率相对较高。
功耗BJT的功耗比MOSFET高。MOSFET的功耗低于BJT
应用BJT适用于低电流应用。它被广泛用作放大器振荡器电子开关MOSFET适用于高功率应用。它用于电源等。

结论

BJT和MOSFET是两种类型的半导体晶体管,具有广泛的应用。但是,正如我们在上表中强调的那样,它们在许多方面彼此不同。了解BJT和MOSFET的工作方式对于根据具体需求使用其中任何一个非常重要。

更新于: 2023年11月1日

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