BJT和FET的区别

无论是BJT还是FET，都是晶体管，广泛应用于各种电子应用中。阅读本文，了解BJT和FET的重要特性，以及它们在功能上的区别。

什么是BJT？

BJT代表双极结型晶体管。BJT是一种晶体管，其电流流动是由两种类型的载流子，即电子和空穴引起的。BJT由三层交替的P型和N型半导体材料和两个PN结组成。

当P型半导体材料夹在两层N型材料之间时，双极结型晶体管称为NPN型晶体管。当N型层夹在两层P型层之间时，得到的BJT称为PNP型晶体管。NPN和PNP型双极结型晶体管的电路符号如图1所示。

BJT有三个端子，即发射极、基极和集电极。每个端子都连接到BJT的每一层。这里，发射极和集电极层掺杂浓度较高，集电极层的掺杂浓度比发射极低。中间层是BJT的基极，掺杂浓度最低。

什么是FET？

FET代表场效应晶体管。场效应晶体管中的电流流动仅由一种类型的载流子（空穴或电子）引起。因此，它们被称为单极型晶体管。FET也是一个三端器件，其中端子的名称为源极、漏极和栅极。FET的电路符号如图2所示。

根据为电流提供流动的源极和漏极之间的通道，FET分为两种类型，即N沟道FET和P沟道FET。在FET的情况下，源极和漏极之间没有PN结。FET的栅极区域由与源极和漏极端子之间的通道不同的半导体材料制成。

BJT和FET的区别

下表显示了双极结型晶体管和场效应晶体管的主要区别。

参数BJTFET
全称BJT代表双极结型晶体管。FET代表场效应晶体管。
定义使用两种类型的载流子（电子和空穴）进行导电的一种晶体管称为双极结型晶体管（BJT）。利用电场控制半导体中电流流动的一种晶体管称为场效应晶体管（FET）。
驱动类型在BJT中，电流流动是由多数载流子和少数载流子共同引起的。因此，它是一种双极器件。在FET中，电流仅由多数载流子引起。因此，它是一种单极器件。
端子BJT有三个端子，即发射极、基极和集电极。FET也有三个端子，即源极、漏极和栅极。
PN结BJT包含两个PN结，即发射极-基极结和集电极-基极结。FET没有PN结。
控制元件BJT是电流控制器件。FET是电压控制器件。
类型BJT有两种类型：NPN型晶体管和PNP型晶体管。FET也有两种类型：N沟道FET和P沟道FET。
配置BJT有三种配置：共射极（CE）、共基极（CB）和共集电极（CC）。FET也有三种配置：共源极（CS）、共栅极（CG）和共漏极（CD）。
尺寸BJT尺寸较大，因此需要更多空间。因此，将其制造成集成电路较为复杂。FET的尺寸相对较小。因此，将其制造成集成电路更容易。
灵敏度BJT对施加电压的变化更敏感。FET对施加电压的变化不太敏感。
输入和输出之间的关系BJT的输入和输出之间存在线性关系。FET的输入和输出之间存在非线性关系。
热噪声BJT的热噪声较大。FET的热噪声要低得多。
热失控BJT存在热失控。FET不存在热失控。
热稳定性BJT的热稳定性较差。由于不存在少数载流子，FET具有良好的热稳定性。
输入阻抗在BJT的情况下，输入电路是正向偏置的。因此，BJT的输入阻抗较低。由于输入电路的反向偏置，FET具有高输入阻抗。
大电流水平下的温度系数BJT具有正温度系数。FET具有负温度系数。
适用性BJT适用于低电流应用。FET适用于高电流应用。
开关速度BJT的开关速度较慢。FET具有更高的开关速度。
辐射的影响BJT易受辐射影响。FET对辐射相对免疫。
增益带宽积BJT具有更高的增益带宽积。FET具有较低的增益带宽积。
少数载流子存储效应BJT受少数载流子存储效应的影响。FET不受少数载流子存储效应的影响。
成本BJT的制造成本较低。FET的制造成本相对较高。
安装BJT在安装过程中不需要特殊处理。FET在安装过程中需要特殊处理。
应用BJT用作开关（在饱和和截止区域）和放大器（在放大区域）。FET用作开关（在欧姆和截止区域）和放大器（在饱和区域）。

结论

通过以上讨论，可以得出结论，双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）之间存在多种差异。这两种晶体管都广泛应用于不同的电子应用中，例如开关和放大等。因此，了解这些差异可以帮助个人根据需求选择其中之一。

更新时间： 2023年11月1日

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