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法学增强型MOSFET
增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (EMOSFET) 是一种三端器件，即源极 (S)、栅极 (G) 和漏极 (D)。EMOSFET 是一种电压控制型器件。
EMOSFET 只能在增强型模式下工作。由于衬底完全延伸到 SiO2 层，因此 EMOSFET 没有从源极到漏极的物理沟道。
通过施加适当幅度和极性的栅源电压 (VGS)，可以使器件工作。VGS 的使用会在栅极端子下方感应出一个 n 型沟道，从而使器件工作。
使 EMOSFET 导通的适当极性 VGS 的最小值称为阈值电压 (VGS (Th))。
对于 n 型 EMOSFET：+$\mathrm{V_{GS}\geqslant{V_{GS}}_{th}}$
对于 p 型 EMOSFET：−$\mathrm{V_{GS}\geqslant{V_{GS}}_{th}}$
EMOSFET 的类型
- N 型增强型 MOSFET
- P 型增强型 MOSFET
P 型 EMOSFET 的示意图
N 型 EMOSFET 的示意图
EMOSFET 的工作原理
当 VGS = 0 V 时，没有连接源极和漏极的沟道。p 型衬底只有少量热产生的自由电子（少数载流子），因此漏极电流为零。因此，EMOSFET 通常处于关闭状态。
现在，当栅极变得正极时，它会吸引来自 p 型衬底的自由电子。自由电子与 SiO2 层正下方的空穴结合。如果 VGS 足够正，则所有接触 SiO2 层的空穴都被填满，剩余的自由电子开始从源极流向漏极。这与在 SiO2 层下方创建一层薄的 n 型材料相同，即感应出一个 n 型沟道，电子通过该沟道流动。因此，EMOSFET 导通，漏极电流开始从源极流向漏极。
EMOSFET 的漏极特性
漏极特性是对于各种正 VGS 值，漏极电流和漏源电压之间的曲线图。从图中可以看出，曲线的很大一部分是水平的，显示出恒定的漏极电流。因此，在曲线的这一部分，EMOSFET 充当恒流源。
EMOSFET 的转移特性
EMOSFET 的转移特性是漏极电流 (ID) 和栅源电压 (VGS) 之间的曲线图。
从该曲线可以看出，当 VGS 小于 VGS(th) 时，没有感应沟道，漏极电流 (ID) 为零。当 VGS 等于 VGS(th) 时，EMOSFET 导通，感应沟道从源极导通到漏极。VGS 超过 VGSth 的进一步增加会增加感应沟道的宽度，因此会增加漏极电流。
EMOSFET 的跨导方程
EMOSFET 的跨导方程（对于 VGS > VGS(th)）由下式给出：
$$\mathrm{I_{D}=K(V_{GS}- {V_{GS}}_{(th)})^2}$$
常数 K 取决于特定的 EMOSFET，其值可以由以下方程确定：
$$\mathrm{K=\frac{I_{D(on)}}{(V_{GS(on)-V_{GS(th)}})^2}}$$
ID(on) 和 VGS(on) 的值可以从 EMOSFET 的数据表中获得。
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