双极结型晶体管:定义、构造、类型
引言
双极结型晶体管是一种半导体器件。硅或锗是双极结型晶体管中使用的两种半导体材料。两个P-N结之间形成三层结构,分别称为发射极、基极和集电极。
发射极层表示为E
集电极层表示为C
基极层表示为B
晶体管的中间部分称为基极层(B)。基极层是一层薄层,厚度约为25微米。晶体管的左侧层是发射极层(E),右侧层是集电极层(C)。
双极结型晶体管
用于放大信号的器件,由三层半导体材料和两个P-N结组成,称为双极结型晶体管(BJT)。当施加外部电源时,晶体管即可进行放大。基极层是薄层。晶体管的左侧部分是发射极层(E),右侧部分是集电极层(C)。发射极层高度掺杂。
但发射极必须提供大多数载流子。基极层与发射极相反,因为它是轻微掺杂的。集电极层也是轻微掺杂的,以接收更多载流子。根据这些特性,我们应该知道集电极和发射极不能互换。
双极结型晶体管符号
箭头始终表示电流方向,在每个晶体管中从发射极区域到基极或从基极到发射极(从P到N)。它表示常规电流方向。在PNP晶体管中,箭头指向基极区域,表示发射极对基极和集电极是正的。在NPN晶体管中,箭头指向发射极区域,表示基极对发射极是正的。
双极结型晶体管构造
它由一块具有两个连续P-N结的独立半导体元件构成。硅或锗是双极结型晶体管中使用的两种半导体材料。我们已经知道晶体管由三层组成:发射极、基极和集电极。在PNP晶体管中,有两个PN结。左侧连接到发射极,中间部分是基极区域,右侧是集电极层。E-B和C-B交点是BJT的两个结。E-B结正向偏置,C-B结反向偏置。
双极结型晶体管的工作原理
BJT的工作区域包括饱和区、截止区和放大区。
饱和区
拐点的起点称为饱和区。饱和区位于原点和恒定点之间,在该点集电极电流变得恒定。
截止区
即使基极电流为零,晶体管中也存在非常低的集电极电流。基极电流为零的低区域称为截止区。
放大区
放大区位于曲线的中间,位于饱和区和截止区之间。放大区中的拐点是恒定的。在这个区域中,发射极-基极端子正向偏置,集电极-基极端子反向偏置。
双极结型晶体管的类型
PNP BJT
NPN BJT
PNP BJT
在PNP BJT中,N型材料的两侧都填充有P型半导体。
NPN BJT
在NPN BJT中,左侧和右侧填充有N型半导体。P型半导体放置在这两种半导体之间。当电流进入发射极区域时,它将正号转换为负号。
双极结型晶体管的功能
PNP BJT和NPN BJT是两种类型的双极结型晶体管。PNP晶体管中存在背靠背的PN结。由于这两个结中存在的耗尽层,势垒增加了。电池提供外部电源。由于正向偏置,大量空穴通过端子进入基极。一些电子从基极进入发射极。这些电子与发射极中的空穴复合。当电子从发射极到基极的漂移增加时,发射极电流IE增加。同样,也计算了基极电流和集电极电流。这就是双极结型晶体管的功能。
双极结型晶体管的电压、电荷控制和电流配置
C-E电流控制B-E电流。集电极-发射极电流给出电流-电压之间的关系。集电极电流中存在集中的次级载流子,因为它具有基极区域。
要操作双极结型晶体管,有三种类型的电路连接。
共基极(CB)模式
共发射极(CE)模式
共集电极(CC)模式。
BJT的应用
晶体管作为开关
通常BJT用作开关。例如,考虑NPN晶体管的共发射极配置。集电极与负载电阻和基极电阻串联连接。当输入为高电平时,晶体管饱和。当晶体管饱和时,电路中将流过最大电流。因此,晶体管处于导通状态。当输入为低电平时,基极-发射极结中没有电流流动。晶体管将处于关断状态。
晶体管放大器
放大是双极结型晶体管的主要功能。
结论
晶体管是一种用于增强信号的器件,由三层组成。具有两个P-N结的半导体材料称为双极结型晶体管(BJT)。它由三层组成:发射极、集电极和基极。BJT有两种类型:PNP BJT和NPN BJT。BJT的主要功能是计算三层的电流流动。BJT的应用包括用作开关、放大器、滤波器和振荡器。
常见问题
Q1. 什么是晶体管偏置?
A1. 当信号通过电路时,应保持发射极电压,并选择合适的运行点。这个过程称为晶体管偏置。
Q2. 什么是输出阻抗?
A2. 在恒定基极电流比下,放大区中C-E电压变化与集电极电流变化的比值称为输出阻抗。
$$\mathrm{输出阻抗,\:r_0=(\frac{\Delta V_{CE}}{\Delta I_C})I_B}$$
Q3. 晶体管的三个特性是什么?
A3.
输入特性
输出特性
转移特性
Q4. 请说明晶体管可以工作的偏置条件。
A3.
发射极-基极端子正向偏置,以便大量载流子从发射极推回,并且结提供少量电阻。
集电极-基极端子反向偏置,以便它接受大量载流子,并且结对电流提供大量电阻。
Q5. 定义电流增益β
A5. 在恒定的集电极-发射极电压下,集电极电流变化与基极电流变化的比值称为电流增益。
$$\mathrm{电流增益\:β=(\frac{\Delta I_C}{\Delta I_B})_{V_{CE}}}$$