晶体管作为放大器 晶体管可以增强弱信号的强度，因此它可以用作电路中的放大器。弱信号施加在发射极-基极结之间，输出则从连接在集电极电路中的负载上获取。为了获得所需的放大倍数，发射极-基极结必须保持正向偏置。为此，除了信号外，在输入电路中还施加直流电压 VBB。此直流电压称为偏置电压，其大小使得它始终使发射极-基极结正向偏置…… 阅读更多

SCR 是一种三端、三结、四层半导体器件，用于在电力电路中执行开关功能。有时 SCR 也被称为晶闸管。SCR 的结构细节 SCR 具有三个 pn 结和四层 p 型和 n 型半导体，交替连接以获得 pnpn 器件。三个端子分别取自外层 p 型层（称为阳极 (A)）、外层 n 型层（称为阴极 (K)）和内部 p 型层（称为栅极 (G)）。SCR 的工作原理 在 SCR 中，负载串联连接…… 阅读更多

重要术语 交流电路 - 交流电遵循的闭合路径称为交流电路。电阻 - 材料在电流路径中提供的阻力度量称为该材料的电阻。具有电阻的元件称为电阻器。电压或电流峰值 - 交流量达到的最大值。也称为幅度。平均值 - 一个周期内交流量所有值的算术平均值称为平均值。对于正弦电压或电流， $$\mathrm{I_{avg}=\frac{2I_{m}}{\pi}=0.637I_{m}}$$$$\mathrm{V_{avg}=\frac{2V_{m}}{\pi}=0.637I_{m}}$$ 均方根 (RMS) 值…… 阅读更多

当 p 型半导体适当地连接到 n 型半导体时，半导体的接触面称为 pn 结。pn 结的特性 p 型半导体具有空穴，n 型半导体具有自由电子作为多数载流子。当 p 型和 n 型材料适当地连接在一起形成 pn 结时。在结处，来自 n 侧的自由电子扩散到 p 侧，来自 p 侧的空穴扩散到 n 侧。由于两种材料都是电中性的，因此在结的 n 侧会积聚正电荷，在 p 侧会积聚负电荷…… 阅读更多

实际的运算放大器表现出一些限制，在仪器设计中应考虑这些限制。运算放大器的物理限制 - 电压电源限制 带宽限制 输入失调电压限制 输入偏置电流限制 输出失调电压限制 压摆率限制 短路输出限制 共同模式抑制比有限 电压电源限制 运算放大器由外部直流电源供电（+VCC 和 -VCC），它们是对称的，约为 ± 10 V 至 ± 20 V。电压电源限制的影响是放大器只能在电源电压范围内放大信号。它…… 阅读更多

运算放大器（也称为运放）是一种多端直流耦合高增益放大器，它由一个或多个差分放大器、一个电平晶体管和一个输出组成。运放是一种多功能器件，可用于放大直流和交流信号，并且主要设计用于执行加法、减法、乘法等数学运算。运算放大器的框图 输入级 - 输入级是双输入、平衡输出差分放大器。该级提供大部分电压增益并引入运算放大器的输入电阻。中间级 - 该级是双输入…… 阅读更多

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 具有四个端子 - 源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D)、体 (B)。它是一种半导体器件，用于电子电路中的开关和放大应用。通常，体端连接到源极，从而形成类似于 FET 的三端器件。MOSFET 是一种电压控制型器件。由于其工作仅取决于多数载流子的流动，因此 MOSFET 是一种单极型器件。换句话说，可以增强模式操作的 FET 称为 MOSFET。为什么叫 MOSFET？栅极…… 阅读更多

运算放大器是一种三端器件，由两个高阻抗输入端组成，一个称为反相输入，用负号表示；另一个称为非反相输入，用正号表示。第三个端子是运放的输出端。反相运算放大器 在反相运算放大器电路中，信号施加到反相输入端，非反相输入端连接到地。在这种类型的放大器中，输出与输入相差 180⁰，即当正信号施加到电路时，电路的输出将…… 阅读更多

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种具有三个端子的半导体器件 - 栅极 (G)、发射极 (E) 和集电极 (C)。IGBT 通过结合 BJT 和功率 MOSFET 的最佳特性而开发。因此，IGBT 显示出像 PMOSFET 那样高的输入阻抗，并且像 BJT 那样具有低的导通态功率损耗。IGBT 也免受 BJT 中存在的第二击穿问题的影响。IGBT 也被称为绝缘栅晶体管 (IGT)、金属氧化物绝缘栅晶体管 (MOSIGT)、导电调制场效应晶体管 (COMFET) 或增益调制 FET (GEMFET)。IGBT 的基本结构和示意图…… 阅读更多

基本上，晶体管只不过是两个PN结背靠背连接在一起。通过使用数字万用表检查这两个结（发射极-基极结和集电极-基极结），我们可以判断晶体管的功能。晶体管的测试基于PN结偏置的原理，即当PN结施加正向偏置时（将正极连接到P区，负极连接到N区），结允许电流通过。当对结施加反向偏置时，它表现为开路。NPN型晶体管被广泛使用。我们可以……阅读更多