脉冲电路 - 晶体管作为开关



通过驱动晶体管处于饱和状态或截止状态,将其用作电子开关。这两个状态之间的区域是线性区域。晶体管在此区域内作为线性放大器工作。饱和和截止状态在这方面是重要的考虑因素。

晶体管的开和关状态

晶体管的工作主要有两个区域,我们可以将其视为状态。它们是饱和状态和截止状态。让我们看看晶体管在这两种状态下的行为。

截止状态下的工作

下图显示处于截止区域的晶体管。

Transistor Cut Off

当晶体管的基极施加负电压时,晶体管进入截止状态。没有集电极电流。因此 IC = 0。

施加在集电极上的电压 VCC 出现在集电极电阻 RC 上。因此,

VCE = VCC

饱和区域的工作

下图显示处于饱和区域的晶体管。

Saturation Region

当基极电压为正且晶体管进入饱和状态时,IC 流过 RC

然后 VCC 降落在 RC 上。输出将为零。

$$I_C = I_{C(sat)} \: = \: \frac{V_{CC}}{R_C} \: and \: V_{CE} = 0$$

实际上,这是理想情况。实际上,会流过一些漏电流。因此,我们可以理解,通过对基极施加正负电压将其驱动到饱和和截止区域时,晶体管可以作为开关工作。

下图给出了更好的解释。

Load Line

观察连接 IC 和 VCC 的直流负载线。如果晶体管被驱动到饱和状态,IC 完全流过,VCE = 0,由点A表示。

如果晶体管被驱动到截止状态,IC 将为零,VCE = VCC,由点 B 表示。连接饱和点 A 和截止点 B 的线称为负载线。由于此处施加的电压是直流电压,因此称为直流负载线

实际考虑因素

尽管上述条件都令人信服,但要获得这种结果,存在一些实际限制。

在截止状态期间

理想晶体管具有 VCE = VCC 和 IC = 0。

但在实践中,会有少量漏电流流过集电极。

因此 IC 将为几 μA。

这被称为集电极漏电流,当然可以忽略不计。

在饱和状态期间

理想晶体管具有 VCE = 0 和 IC = IC(sat)

但在实践中,VCE 会降低到某个称为膝电压的值。

当 VCE 低于膝电压时,β 会急剧下降。

由于 IC = βIB,这会降低集电极电流。

因此,保持 VCE 在膝电压下的最大电流 IC 称为饱和集电极电流

饱和集电极电流 = $I_{C(sat)} \: = \: \frac{V_{CC} - V_{knee}}{R_C}$

仅为了使其用于开关目的而制造的晶体管称为开关晶体管。它在饱和区或截止区工作。在饱和状态下,集电极饱和电流流过负载,而在截止状态下,集电极漏电流流过负载。

晶体管的开关动作

晶体管有三个工作区域。为了了解操作效率,需要考虑实际损耗。因此,让我们尝试了解晶体管作为开关的效率如何。

在截止(关)状态期间

基极电流 IB = 0

集电极电流 IC = ICEO(集电极漏电流)

功率损耗 = 输出电压 × 输出电流

$$= V_{CC} \times I_{CEO}$$

由于 ICEO 很小,VCC 也很低,因此损耗将非常低。因此,晶体管在关断状态下可以作为高效开关工作。

在饱和(开)状态期间

如前所述,

$$I_{C(sat)} = \frac{V_{CC} - V_{knee}}{R_C}$$

输出电压为Vknee

功率损耗 = 输出电压 × 输出电流

$$= \:V_{knee} \times I_{c(sat)}$$

由于 Vknee 的值很小,因此损耗很低。因此,晶体管在开状态下可以作为高效开关工作。

在放大区

晶体管位于开和关状态之间。晶体管作为线性放大器工作,其中输入电流的小变化会导致输出电流的大变化 (ΔIC)。

开关时间

开关晶体管的输入为脉冲,输出为具有少量变化的脉冲。关于开关输出脉冲的时间,有一些术语您应该了解。让我们来了解一下它们。

设输入脉冲持续时间 = T

当施加输入脉冲时,由于杂散电容,集电极电流需要一些时间才能达到稳态值。下图解释了这个概念。

Output Pulse

从上图可以看出,

  • 时间延迟 (td) - 集电极电流从其初始值达到其最终值的 10% 所用的时间称为时间延迟

  • 上升时间 (tr) - 集电极电流从其初始值的 10% 到达其最终值的 90% 所用的时间称为上升时间

  • 导通时间 (TON) - 时间延迟 (td) 和上升时间 (tr) 的总和称为导通时间

    TON = td + tr

  • 存储时间 (ts) - 输入脉冲后沿到输出最大值的 90% 之间的时间间隔称为存储时间

  • 下降时间 (tf) - 集电极电流从其最大值的 90% 到达其初始值的 10% 所用的时间称为下降时间

  • 关断时间 (TOFF) - 存储时间 (ts) 和下降时间 (tf) 的总和定义为关断时间

    TOFF = ts + tf

  • 脉冲宽度 (W) - 在上升和下降波形的两个 50% 电平之间测量的输出脉冲持续时间定义为脉冲宽度

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