找到 995 篇文章,关于电子与电气

半导体二极管的 PN 结理论

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 15:35:05

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当 P 型半导体与 N 型半导体合适地连接时,半导体的接触面称为 PN 结。PN 结的特性P 型半导体以空穴为主导电荷载流子,N 型半导体以自由电子为主导电荷载流子。当 P 型和 N 型材料合适地连接在一起形成 PN 结时。在结处,来自 N 侧的自由电子扩散到 P 侧,来自 P 侧的空穴扩散到 N 侧。由于这两种材料都是电中性的,因此在结的 N 侧会积累正电荷,在 ... 阅读更多

运算放大器的物理局限性

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 15:34:04

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实际的运算放大器表现出一些局限性,在仪器设计中应考虑这些局限性。运算放大器的物理局限性 - 电压电源限制有限带宽限制输入失调电压限制输入偏置电流限制输出失调电压限制压摆率限制短路输出限制有限的共模抑制比电压电源限制运算放大器由外部直流电源(+VCC 和 -VCC)供电,这些电源是对称的,数量级为 ± 10 V 至 ± 20 V。电压电源限制的影响是放大器只能放大其电源电压范围内的信号。它 ... 阅读更多

运算放大器 - 基本概念和应用

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 15:32:49

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运算放大器(也称为运放)是一种多端直耦高增益放大器,它由一个或多个差分放大器、一个级联晶体管和一个输出组成。运放是一种多功能器件,可用于放大直流和交流信号,主要设计用于执行数学运算,如加法、减法、乘法等。运算放大器的框图输入级 - 输入级是双输入、平衡输出差分放大器。此级提供大部分电压增益并引入运算放大器的输入电阻。中间级 - 此级是双输入、 ... 阅读更多

MOSFET – 类型和工作原理

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 15:31:15

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金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 有四个端子 - 源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D)、体 (B)。它是一种半导体器件,用于电子电路中的开关和放大应用。通常,体端连接到源极,从而形成类似于 FET 的三端器件。MOSFET 是一种电压控制器件。由于其工作仅取决于多数载流子的流动,因此 MOSFET 是一种单极性器件。换句话说,可以在增强模式下工作的 FET 称为 MOSFET。为什么叫 MOSFET?栅极 ... 阅读更多

反相和同相运算放大器

Manish Kumar Saini
更新于 2023-11-01 01:28:56

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运算放大器是一种三端器件,由两个高阻抗输入端组成,一个称为反相输入,用负号表示,另一个称为同相输入,用正号表示。第三个端子是运放的输出。反相运算放大器在反相运算放大器电路中,信号施加在反相输入端,同相输入端连接到地。在这种类型的放大器中,输出与输入相差 180⁰,即当正信号施加到电路时,电路的输出将 ... 阅读更多

绝缘栅双极晶体管的工作原理和特性

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 14:59:14

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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种具有三个端子的半导体器件 - 栅极 (G)、发射极 (E) 和集电极 (C)。IGBT 是通过结合 BJT 和功率 MOSFET 的最佳特性而开发的。因此,IGBT 具有 PMOSFET 的高输入阻抗,并且像 BJT 一样具有低的导通状态功耗损耗。IGBT 也免受 BJT 中存在的第二击穿问题的困扰。IGBT 也称为绝缘栅晶体管 (IGT)、金属氧化物绝缘栅晶体管 (MOSIGT)、导电调制场效应晶体管 (COMFET) 或增益调制 FET (GEMFET)。IGBT 的基本结构和示意图符号 ... 阅读更多

如何使用数字万用表测试晶体管

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 14:52:31

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基本上,晶体管只不过是两个背靠背连接的 PN 结。通过借助数字万用表检查这两个结(发射极-基极结和集电极-基极结),我们可以对晶体管的功能做出判断。晶体管的测试基于 PN 结偏置的原理,即当对 PN 结施加正向偏置时(通过将正极连接到 P 区,将负极连接到 N 区),结允许电流通过。当对结施加反向偏置时,它表现为开路。NPN 型晶体管被广泛使用。我们可以 ... 阅读更多

全波整流器

Manish Kumar Saini
更新于 2023-11-03 14:21:31

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全波整流器是一种二极管电路,用于将交流电压 (AC 电源) 的完整周期转换为直流电压 (DC 电源)。在全波整流中,电流在输入交流电源的完整周期内沿相同方向流过负载。全波整流器的类型中心抽头全波整流器全波桥式整流器中心抽头全波整流器中心抽头全波整流器的电路包含以下主要组件 - 两个二极管一个中心抽头变压器一个负载电阻中心抽头 FWR 电路的运作正半周期在输入交流电压的正半周期期间,副绕组的 A 端 ... 阅读更多

增强型 MOSFET

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 14:50:45

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增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (EMOSFET) 是一种三端器件,即源极 (S)、栅极 (G) 和漏极 (D)。EMOSFET 是一种电压控制器件。EMOSFET 只能在增强模式下工作。EMOSFET 从源极到漏极没有物理通道,因为衬底完全延伸到 SiO2 层。通过施加适当幅度和极性的栅极-源极电压 (VGS),可以使器件工作。VGS 的使用在栅极端子下方感应出一个 N 通道,从而使器件工作。适当极性下 VGS 的最小值 ... 阅读更多

数字电路及其应用

Manish Kumar Saini
更新于 2021-05-26 14:39:22

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数字电子学是电子学的一个分支,它利用数字信号来完成任务。数字信号是用二进制语言表示的信号,即 0 和 1。数字电路是使用逻辑门(如 AND、OR、NOT、NAND、NOR、XOR 和 XNOR)实现的,这些逻辑门可以执行逻辑运算。数字电路定义使用多个逻辑门实现并以二进制形式(0 和 1)接收输入的电路称为数字电路。数字电路类型组合数字电路时序数字电路数字逻辑门逻辑门是一种电子元件,它使用布尔…… 阅读更多

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