当p型半导体适当地与n型半导体连接时，半导体的接触面称为pn结。pn结的性质p型半导体有空穴，而n型半导体有自由电子作为多数载流子。当p型和n型材料适当地连接在一起以形成pn结时。在结处，n侧的自由电子向p侧扩散，p侧的空穴向n侧扩散。由于两种材料都是电中性的，因此在结的n侧形成正电荷，而在结的n侧形成负电荷... 阅读更多

实际运放有一些限制，在设计仪器时应予以考虑。运放的物理限制 - 电压电源限制有限带宽限制输入失调电压限制输入偏置电流限制输出失调电压限制转换率限制短路输出限制有限的共模抑制比电压电源限制运放由外部直流电源（+VCC 和 -VCC）供电，这些电源对称，为 ± 10 V 至 ± 20 V 的范围内。电压电源限制的影响是，放大器只能在其电源电压范围内放大信号。它... 了解更多

运算放大器（也称为运算放大器）是一种多端直接耦合高增益放大器，它由一个或多个差动放大器、一个电平晶体管和一个输出组成。运算放大器是一种多功能器件，可用于放大直流和交流信号，主要用于执行加法、减法、乘法等的数学运算。运算放大器框图输入级 - 输入级是双输入，平衡输出差动放大器。此级提供大部分电压增益，并引入运算放大器的输入电阻。中间级 - 此级是双输入，... 了解更多

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 有四个端子 - 漏极 (S)、栅极 (G)、源极 (D)、基极 (B)。它是一种半导体器件，用于电子电路中的开关和放大应用。一般而言，基极端子会与源极连接，从而形成一个三端器件，类似于 FET。MOSFET 是电压控制型器件。因为它的工作仅取决于多数载流子的流动，因此 MOSFET 是一个单极器件。换句话说，可以在增强模式下工作的 FET 称为 MOSFET。为什么叫 MOSFET？栅极... 了解更多

运算放大器是一个三端器件，由两个高阻抗输入端组成，其中一个称为反相输入，用负号表示，另一个称为同相输入，用正号表示。第三个端是运算放大器的输出。反相运算放大器在反相运算放大器电路中，信号施加在反相输入，同相输入接地。在这种类型的放大器中，输出和输入相差 180⁰，即当正信号施加到电路时，电路的输出将... 了解更多

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种具有三个端子（栅极 (G)、发射极 (E) 和集电极 (C)）的半导体器件。IGBT 通过结合 BJT 和功率 MOSFET 的最佳品质而开发出来。因此，IGBT 表现出作为 PMOSFET 的高输入阻抗，并且具有类似 BJT 的低导通态功率损耗。IGBT 也不存在 BJT 中存在的第二击穿问题。IGBT 也称为绝缘栅晶体管 (IGT)、金属氧化物绝缘栅晶体管 (MOSIGT)、导调场效应晶体管 (COMFET) 或增益调制 FET (GEMFET)。IGBT 的基本结构和示意图 ... 阅读更多内容

基本上，晶体管不过是两个背靠背连接的 PN 结。通过借助数字万用表检查两个结点（发射极-基极结和集电极-基极结），我们可以对晶体管的功能进行评价。晶体管的测试基于 PN 结偏置原理，即当对 PN 结施加正向偏置（通过将正极端子连接到 P 区并将负极端子连接到 N 区）时，结点允许电流通过。当施加反向偏置到结点时，它表现为开路。NPN 型晶体管广泛用于。我们 ... 阅读更多内容

全波整流器是一种二极管电路，用于将全部交流电压 (AC 电源) 周期转换为直流电压 (DC 电源)。在全波整流中，电流在整个输入交流电源周期中均以相同的方向流过负载。全波整流器类型中心抽头全波整流器全波桥式整流器中心抽头全波整流器中心抽头全波整流器的电路由以下主要元件组成：-两个二极管一个中心抽头变压器一个负载电阻中心抽头 FWR 电路的工作原理正半周在输入 AC 电压的正半周期间，次级绕组的端 A ... 阅读更多内容

增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (EMOSFET) 是一个三端器件，即源极 (S)、栅极 (G) 和漏极 (D)。EMOSFET 是一种电压控制设备。EMOSFET 只能在增强模式下工作。由于衬底完全延伸到 SiO2 层，因此 EMOSFET 从源极到漏极没有物理信道。通过施加适当幅度和极性的栅极-源极电压 (VGS)，可以使设备工作。使用 VGS 将栅极端子下方感应一个 N 型信道，从而使设备工作。VGS 的最小值为适当的极性 ... 阅读更多内容

数字电子学是电子学的一个分支，它使用数字信号来完成任务。数字信号是使用二进制语言表示的信号，即 0 和 1. 数字电路使用逻辑门（如与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门和异或非门）来实现，这些逻辑门可以执行逻辑运算。数字电路定义使用一定数量的逻辑门实现，并采用二进制形式（0 和 1）作为输入，称为数字电路。数字电路的类型组合数字电路时序数字电路数字逻辑门逻辑门是使用布尔函数实现的电子元件... 阅读更多