晶体管的构造

以下是晶体管制造中使用的一些技术：

扩散型

在这种方法中，半导体晶圆经受N型和P型杂质的气体扩散，以形成发射极和集电极结。首先，确定基极-集电极结，并在基极扩散之前进行光刻。之后，在基极上扩散发射极。这种技术制造的晶体管具有更好的噪声系数，并且还观察到电流增益的提高。

生长型

它是通过从熔融的硅或锗中拉出单晶来形成的。在晶体生长过程中添加所需的杂质浓度。

外延型

在相同类型的重掺杂衬底上生长一层非常纯净且薄的硅或锗单晶层。这种改进的晶体版本形成了集电极，发射极和基极结在其上形成。

合金型

在这种方法中，基极部分由薄片N型材料制成。在薄片的相对两侧，连接两个小的铟点，并将整个结构保持在高温下较短时间。温度将高于铟的熔点，低于锗的熔点。这种技术也称为熔合构造。

电化学蚀刻型

在这种方法中，在半导体晶圆的相对两侧蚀刻凹陷，以减小基区宽度。然后将合适的金属电镀到凹陷区域以形成发射极和集电极结。