半导体器件 - JFET 偏置

JFET 的偏置方法有两种：自偏置法和分压法。本章将详细讨论这两种方法。

自偏置法

下图显示了 N 沟道 JFET 的自偏置方法。漏极电流流过R_s并产生所需的偏置电压。因此，R_s是偏置电阻。

因此，偏置电阻上的电压为：

$$V_s = I_{DRS}$$

众所周知，栅极电流可忽略不计，栅极端子接地，V_G = 0，

$$V_{GS} = V_G - V_s = 0 - I_{DRS}$$

或 $V_{GS} = -I_{DRS}$

V_GS 使栅极相对于源极保持负电位。

分压法

下图显示了 JFET 的分压偏置方法。这里，电阻 R₁ 和 R₂ 构成一个跨漏极电源电压 (V_DD) 的分压电路，它与晶体管偏置中使用的电路大致相同。

R₂ 上的电压提供必要的偏置 -

$$V_2 = V_G = \frac{V_{DD}}{R_1 + R_2} \times R_2$$

$= V_2 + V_{GS} + I_D + R_S$

或 $V_{GS} = V_2 - I_{DRS}$

电路设计使得 V_GS 始终为负。可以使用以下公式找到工作点 -

$$I_D = \frac{V_2 - V_{GS}}{R_S}$$

和 $V_{DS} = V_{DD} - I_D(R_D + R_S)$