半导体器件 - 耗尽区

最初，当形成结型二极管时，电流载流子之间存在一种独特的相互作用。在 N 型材料中，电子轻易穿过结以填充 P 型材料中的空穴。此行为通常称为扩散。扩散是由一种材料中载流子的高聚集和另一种材料中较低的聚集导致的。

通常，仅靠近结的电流载流子参与扩散过程。离开 N 型材料的电子会导致在其位置产生正离子。在进入 P 型材料以填充空穴时，这些电子会产生负离子。结果，结的每一侧都包含大量正离子和负离子。

这些空穴和电子耗尽的区域通常称为耗尽区。这是一个缺乏多数电流载流子的区域。通常，当形成 P-N 结时，就会形成耗尽区。下图显示了结型二极管的耗尽区。