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电力电子学 - BJT
双极结型晶体管(BJT)是一种晶体管,其工作原理依赖于两个半导体的接触。它可以充当开关、放大器或振荡器。它被称为双极晶体管,因为它需要两种类型的载流子(空穴和电子)才能工作。空穴是P型半导体中的主要载流子,而电子是N型半导体中的主要载流子。
BJT 的符号
BJT 的结构
BJT 具有两个背靠背连接并共享一个公共区域 B(基极)的 PN 结。这确保了基极、集电极和发射极的所有区域都建立了接触。下图显示了 PNP 型双极晶体管的结构。
上面所示的 BJT 由两个背靠背连接的二极管组成,导致称为准中性的区域耗尽。发射极、基极和集电极的准中性宽度分别在上面表示为 WE’、WB’ 和 WC’。它们分别计算如下:
$$W_{E}^{'}=W_{E}-X_{n,BE}$$ $$W_{B}^{'}=W_{B}-X_{p,BE}-X_{p,BC}$$ $$W_{C}^{'}=W_{C}-X_{n,BC}$$发射极、基极和集电极电流的常规符号分别用 IE、IB 和 IC 表示。因此,当正电流遇到集电极或基极触点时,集电极电流和基极电流为正。此外,当电流离开发射极触点时,发射极电流为正。因此,
$$I_{E}=I_{B}+I_{C}$$当相对于集电极和发射极在基极触点施加正电压时,基极-集电极电压以及基极-发射极电压都变为正。
为简单起见,假设 VCE 为零。
电子从发射极扩散到基极,而空穴从基极扩散到发射极。一旦电子到达基极-集电极耗尽区,就会被电场扫过该区域。这些电子形成了集电极电流。
当 BJT 偏置在正向激活模式时,总发射极电流通过将电子扩散电流(IE,n)、空穴扩散电流(IE, p)和基极发射极电流相加得到。
$$I_{E}=I_{E,n}+I_{E,p}+I_{r,d}$$总集电极电流由电子扩散电流(IE,n)减去基极复合电流(Ir,B)给出。
$$I_{C}=I_{E,n}-I_{r,B}$$基极电流 IB 的总和通过将空穴扩散电流(IE, p)、基极复合电流(Ir,B)和耗尽层的基极-发射极复合电流(Ir,d)相加得到。
$$I_{B}=I_{E,p}+I_{r,B}+I_{r,d}$$传输因子
它由集电极电流与发射极电流之比给出。
$$\alpha =\frac{I_{C}}{I_{E}}$$应用基尔霍夫电流定律,发现基极电流由发射极电流和集电极电流之差给出。
电流增益
它由集电极电流与基极电流之比给出。
$$\beta =\frac{I_{C}}{I_{B}}=\frac{\alpha }{1-\alpha }$$以上解释了 BJT 如何产生电流放大。如果集电极电流几乎等于发射极电流,则传输因子 (α) 将接近 1。因此,电流增益 (β) 将大于 1。
为了进一步分析,将传输因子 (α) 重写为发射极效率 (γE)、基极传输因子 (αT) 和耗尽层复合因子 (δr) 的乘积。它被重写如下:
$$\alpha =\gamma _{E}\times \alpha _{T}\times \delta _{r}$$以下是讨论的发射极效率、基极传输因子和耗尽层复合因子的总结。