基于配置

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任何晶体管放大器都使用晶体管放大信号，该晶体管以三种配置之一连接。对于放大器来说，最好具有高输入阻抗，以避免多级电路中的负载效应，并具有较低的输出阻抗，以便向负载提供最大输出。电压增益和功率增益也应该很高，以产生更好的输出。

现在让我们研究不同的配置，以了解哪种配置更适合晶体管作为放大器工作。

共基放大器

使用CB配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CB放大器。

结构

使用NPN晶体管的共基放大器电路如下所示，输入信号施加在发射极基极结上，输出信号从集电极基极结取出。

发射极基极结由V_EE正向偏置，集电极基极结由V_CC反向偏置。工作点借助电阻Re和R_c进行调整。因此，I_c、I_b和I_cb的值由V_CC、V_EE、R_e和R_c决定。

操作

当没有施加输入时，形成静止条件，并且没有输出。由于V_be相对于地为负，因此对于输入信号的正半周期，正向偏置减小。因此，基极电流I_B也减小。

下图显示了具有自偏置电路的CB放大器。

众所周知，

$$I_C \cong I_E \cong \beta I_B$$

集电极电流和发射极电流都减小。

R_C上的电压降为

$$V_C = I_C R_C$$

此V_C也减小。

由于I_CR_C减小，V_CB增大。这是因为，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，产生正半周期输出。

在CB配置中，正输入产生正输出，因此输入和输出同相。因此，在CB放大器中，输入和输出之间没有相位反转。

如果将CB配置考虑用于放大，则它具有低输入阻抗和高输出阻抗。与CE配置相比，电压增益也较低。因此，CB配置的放大器用于高频应用。

共射放大器

使用CE配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CE放大器。

结构

使用NPN晶体管的共射放大器电路如下所示，输入信号施加在发射极基极结上，输出信号从集电极基极结取出。

发射极基极结由V_EE正向偏置，集电极基极结由V_CC反向偏置。工作点借助电阻R_e和R_c进行调整。因此，I_c、I_b和I_cb的值由V_CC、V_EE、R_e和R_c决定。

操作

当没有施加输入时，形成静止条件，并且没有输出。当施加信号的正半周期时，基极与发射极之间的电压V_be增大，因为它相对于地已经为正。

随着正向偏置的增加，基极电流也相应增加。由于I_C = βI_B，集电极电流也增加。

以下电路图显示了具有自偏置电路的CE放大器。

当集电极电流流过R_C时，电压降增大。

$$V_C = I_C R_C$$

结果，集电极与发射极之间的电压降低。因为，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，放大电压出现在R_C上。

因此，在CE放大器中，由于正向信号作为负向信号出现，因此可以理解输入和输出之间存在180^o的相移。

CE放大器的输入阻抗高于CB放大器，输出阻抗低于CB放大器。CE放大器的电压增益和功率增益也较高，因此它主要用于音频放大器。

共集放大器

使用CC配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CC放大器。

结构

使用NPN晶体管的共集放大器电路如下所示，输入信号施加在基极集电极结上，输出信号从发射极集电极结取出。

发射极基极结由V_EE正向偏置，集电极基极结由V_CC反向偏置。I_b和I_e的Q值由R_b和R_e调整。

操作

当没有施加输入时，形成静止条件，并且没有输出。当施加信号的正半周期时，正向偏置增大，因为V_be相对于集电极或地为正。由此，基极电流I_B和集电极电流I_C增大。

以下电路图显示了具有自偏置电路的CC放大器。

因此，R_e上的电压降，即输出电压增大。结果，获得正半周期。由于输入和输出同相，因此没有相位反转。

如果将CC配置考虑用于放大，尽管CC放大器的输入阻抗高于CE放大器，输出阻抗低于CE放大器，但CC的电压增益非常小，这限制了其仅用于阻抗匹配的应用。

CB CE CC放大器之间的比较

让我们比较CB、CE和CC放大器的特性细节。

由于兼容性和特性，共射配置主要用于放大器电路。