射极跟随器和达林顿放大器



射极跟随器和达林顿放大器是反馈放大器最常见的例子。它们是最常用的,并且有许多应用。

射极跟随器

射极跟随器电路在反馈放大器中占据着突出的地位。射极跟随器是负电流反馈电路的一种情况。它主要用作信号发生器电路中的最后一级放大器。

射极跟随器的重要特征如下:

  • 它具有高输入阻抗
  • 它具有低输出阻抗
  • 它是阻抗匹配的理想电路

所有这些理想特性都为射极跟随器电路提供了许多应用。这是一个电流放大器电路,没有电压增益。

结构

射极跟随器电路的结构细节与普通放大器几乎相同。主要区别在于负载RL不存在于集电极端,而存在于电路的射极端。因此,输出是从射极端而不是集电极端获取的。

偏置可以通过基极电阻法或分压器法提供。下图显示了射极跟随器的电路图。

Emitter Follower Construction

操作

施加在基极和射极之间的输入信号电压在RE上产生输出电压Vo,RE位于射极部分。因此,

$$V_o = I_E R_E$$

整个输出电流通过反馈施加到输入。因此,

$$V_f = V_o$$

由于在RL上产生的输出电压与射极电流成正比,因此该射极跟随器电路是电流反馈电路。因此,

$$\beta = \frac{V_f}{V_o} = 1$$

还注意到,晶体管的输入信号电压(= Vi)等于Vs和Vo的差,即

$$V_i = V_s - V_o$$

因此反馈是负反馈。

特性

射极跟随器的主要特性如下:

  • 无电压增益。实际上,电压增益接近1。
  • 相对较高的电流增益和功率增益。
  • 高输入阻抗和低输出阻抗。
  • 输入和输出交流电压同相。

射极跟随器的电压增益

由于射极跟随器电路是一个突出的电路,让我们尝试获得射极跟随器电路的电压增益方程。我们的射极跟随器电路如下所示:

Voltage Gain

如果绘制上述电路的交流等效电路,它将如下所示,因为射极旁路电容器不存在。

AC Equivalent

射极电路的交流电阻rE由下式给出

$$r_E = r’_E + R_E$$

其中

$$r’_E = \frac{25 mV}{I_E}$$

为了找到放大器的电压增益,上图可以用下图代替。

Replaced Voltage Gain

请注意,输入电压施加在射极电路的交流电阻上,即(r'E + RE)。假设射极二极管是理想的,输出电压Vout将为

$$V_{out} = i_e R_E$$

输入电压Vin将为

$$V_{in} = i_e(r’_e + R_E)$$

因此,射极跟随器的电压增益为

$$A_V = \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{i_e R_E}{i_e(r’_e + R_E)} = \frac{R_E}{(r’_e + R_E)}$$

$$A_V = \frac{R_E}{(r’_e + R_E)}$$

在大多数实际应用中,

$$R_E \gg r’_e$$

因此,AV ≈ 1。在实践中,射极跟随器的电压增益在0.8到0.999之间。

达林顿放大器

刚刚讨论的射极跟随器电路无法满足电路电流增益(Ai)和输入阻抗(Zi)的要求。为了实现电路电流增益和输入阻抗整体值的增加,两个晶体管连接如下面的电路图所示,这被称为达林顿配置。

Darlington Amplifier

如上图所示,第一个晶体管的射极连接到第二个晶体管的基极。两个晶体管的集电极端连接在一起。

偏置分析

由于这种类型的连接,第一个晶体管的射极电流也将是第二个晶体管的基极电流。因此,对的电流增益等于各个电流增益的乘积,即

$$\beta = \beta _1 \beta _2$$

通常可以通过最少的元件来获得高电流增益。

由于这里使用了两个晶体管,因此需要考虑两个VBE压降。否则,偏置分析与一个晶体管类似。

R2上的电压,

$$V_2 = \frac{V_CC}{R_1 + R_2} \times R_2$$

RE上的电压,

$$V_E = V_2 - 2 V_{BE}$$

通过RE的电流,

$$I_{E2} = \frac{V_2 - 2 V_{BE}}{R_E}$$

由于晶体管是直接耦合的,

$$I_{E1} = I_{B2}$$

现在

$$I_{B2} = \frac{I_{E2}}{\beta _2}$$

因此

$$I_{E1} = \frac{I_{E2}}{\beta _2}$$

这意味着

$$I_{E1} = I_{E1} \beta _2$$

我们有

$I_{E1} = \beta _1 I_{B1}$ 因为 $I_{E1} \cong I_{C1}$

因此,作为

$$I_{E2} = I_{E1} \beta _2$$

我们可以写

$$I_{E2} = \beta _1 \beta _2 I_{B1}$$

因此,电流增益可以表示为

$$\beta = \frac{I_{E2}}{I_{B1}} = \frac{\beta _1 \beta _2 I_{B1}}{I_{B1}} = \beta _1 \beta_2$$

达林顿放大器的输入阻抗为

$Z_{in} = \beta_1 \beta_2 R_E .....$忽略r'e

在实践中,这两个晶体管放置在一个晶体管外壳中,三个端子从外壳中取出,如下面的图所示。

Two Transistor

这个三端器件可以称为达林顿晶体管。达林顿晶体管就像一个具有高电流增益和高输入阻抗的单晶体管。

特性

以下是达林顿放大器的重要特性。

  • 极高的输入阻抗(MΩ)。
  • 极高的电流增益(数千)。
  • 极低的输出阻抗(几欧姆)。

由于达林顿放大器的特性基本上与射极跟随器的特性相同,因此这两个电路用于类似的应用。

到目前为止,我们已经讨论了基于正反馈的放大器。晶体管电路中的负反馈有助于振荡器的运行。振荡器主题在振荡器教程中完全涵盖。

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