RC耦合放大器

电阻-电容耦合简称为RC耦合。这是放大器中最常用的耦合技术。

两级RC耦合放大器的构造

两级RC耦合晶体管放大器电路的结构细节如下。两级放大器电路有两个晶体管，以共射极配置连接，并使用一个公共电源V_CC。分压网络R₁和R₂以及电阻R_e构成偏置和稳定网络。发射极旁路电容C_e为信号提供低阻抗路径。

电阻R_L用作负载阻抗。放大器初始阶段存在的输入电容C_in将交流信号耦合到晶体管的基极。电容C_C是连接两个级的耦合电容，它可以防止级之间出现直流干扰并控制工作点的偏移。下图显示了RC耦合放大器的电路图。

当交流输入信号施加到第一个晶体管的基极时，它会被放大并出现在集电极负载R_L上，然后通过耦合电容C_C传递到下一级。这成为下一级的输入，其放大的输出再次出现在其集电极负载上。因此，信号在逐级作用中被放大。

这里需要注意的重要一点是，总增益小于各个级增益的乘积。这是因为，当第二级跟随第一级时，由于第二级的输入电阻的并联效应，第一级的**有效负载电阻**降低。因此，在多级放大器中，只有最后一级的增益保持不变。

由于我们这里考虑的是两级放大器，因此输出相位与输入相位相同。因为两级共射极配置的放大器电路进行了两次相位反转。

频率响应曲线是表示电压增益与频率函数之间关系的图表。RC耦合放大器的频率响应如下图所示。

从上图可以看出，对于低于50Hz的频率和高于20KHz的频率，频率衰减或下降。而50Hz到20KHz频率范围内的电压增益是恒定的。

我们知道，

$$X_C = \frac{1}{2 \pi f_c}$$

这意味着电容抗与频率成反比。

电容抗与频率成反比。在低频下，抗阻相当高。输入电容C_in和耦合电容C_C的抗阻非常高，以至于只允许输入信号的一小部分通过。发射极旁路电容C_E的抗阻在低频时也很高。因此，它不能有效地旁路发射极电阻。由于所有这些因素，电压增益在低频下衰减。

再次考虑同一点，我们知道电容抗在高频下很低。因此，电容在高频下表现为短路。由此导致下一级的负载效应增加，从而降低了电压增益。同时，随着发射极二极管电容的减小，它会增加晶体管的基极电流，从而导致电流增益（β）降低。因此，电压增益在高频下衰减。

在此频率范围内，电容的电压增益保持恒定，如图所示。如果频率增加，电容C_C的抗阻减小，这会增加增益。但是，这种较低的电容抗阻会增加下一级的负载效应，从而导致增益降低。

由于这两个因素，增益保持恒定。

以下是RC耦合放大器的优点。

以下是RC耦合放大器的缺点。

以下是RC耦合放大器的应用。

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